【深铭易购】资讯：据韩国媒体etnews报道，三星电子和SK海力士已经启动了高带宽存储器（HBM）晶圆的工艺技术转换，这一转换的核心是引入防止晶圆翘曲的新技术，被视为下一代HBM的重要进展。预计随着工艺的转换，材料和设备供应链也将发生变革。

据了解，三星电子和SK海力士近期与合作伙伴共同研发将HBM晶圆解键合（剥离）工艺从传统的机械方法转向激光技术的新方法。

晶圆解键合是指在制造过程中，将薄化的晶圆从临时载片上分离出来的工艺。在传统的机械解键合中，主晶圆和载体晶圆通过粘合剂粘合在一起，然后用刀片剥离。然而，随着HBM层数的增加（如12层或16层），晶圆变得更薄，传统的机械方法面临着技术上的限制。当晶圆厚度低于30微米时，使用刀片分离可能会损坏晶圆，因此需要增加蚀刻、抛光和其他工艺步骤，并采用新型适应超高温环境的粘合剂。

行业内专家解释说：“为了应对这些极限工艺环境，需要更强的粘合剂，而这种粘合剂无法通过传统的机械方法实现分离，因此引入了激光技术。”他们还表示：“这一转变旨在稳定地实现主晶圆和载体晶圆的分离。”

三星电子和SK海力士正在考虑采用极紫外（EUV）激光和紫外线（UV）激光等多种激光方式进行晶圆解键合。预计激光解键合技术将首先应用于16层HBM4。由于HBM4在堆叠DRAM存储器的底部使用了基于系统半导体的基础芯片，因此需要更精细的工艺和更薄的晶圆，激光技术被认为是非常合适的选择。

与此同时，随着激光解键合技术的引入，相关的材料和设备供应链将不可避免地发生变化。目前市场上主要由日本的东京电子和德国的SÜSS MicroTec主导的传统机械解键合方式可能会面临更多的激光设备企业的竞争。

晶圆解键合粘合剂主要供应商包括美国的3M，日本的信越化学、日产化学和TOK等。据报道，这些公司也在研发适用于激光解键合技术的新型粘合材料，以取代传统的机械方式。