【深铭易购】资讯：AI芯片龙头英伟达（NVIDIA）在周三（11日）股价收高2.7%，达到每股134.91美元，连续4个交易日上涨，市值稳居3.23万亿美元。英伟达的持续增长离不开两大关键技术的支持：台积电（2330-TW）主导的CoWoS先进封装技术，以及高频宽存储器（HBM）。英伟达最先进的H200芯片是首个采用HBM3E存储器规格的AI加速器。

随着AI的兴起，三星、SK海力士与美光（MU-US）等存储器巨头纷纷将HBM作为重点生产产品之一。HBM的火热给市场带来了巨大的冲击，并引发了三大影响。首先，HBM成为扭转存储器芯片产业下行的重要因素；其次，HBM的需求可能导致通用DRAM缺货和涨价；最后，HBM引发了技术领域的激烈竞争。

根据产品分类，DRAM可以分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM。前三类产品主要用于传统周期领域，HBM则主要由AI市场推动。DDR主要用于消费电子、服务器和PC领域，LPDDR主要用于移动设备、手机和汽车领域，GDDR主要用于图像处理的GPU领域。

HBM1最早于2014年由AMD与SK海力士联合推出，为4层die堆叠，提供128GB/s带宽和4GB存储器，性能显著优于同期产品GDDR5。HBM2于2018年正式推出，为4层DRAM die堆叠，现在多为8层堆叠，提供256GB/s带宽、2.4Gbps传输速度和8GB存储器。HBM3于前年正式推出，堆叠层数和管理通道数均有所增加，提供6.4Gbps传输速度，最高传输速率可达819GB/s，并配有16GB存储器。HBM3E是由SK海力士发布的HBM3增强版，提供高达8Gbps的传输速率和24GB存储容量，预计于2024年开始大规模量产。

根据SK海力士、三星与美光三巨头的声明，今年的HBM供应能力已全部耗尽，明年产能也已大部分售罄。三大厂商因此纷纷展开产能扩充竞赛。SK海力士正在大幅扩产第5代1b DRAM，以应对HBM和DDR5 DRAM需求的增加。按照晶圆投入量计算，SK海力士计划将1b DRAM的月产能从今年第一季度的1万片增加到年底的9万片，明年上半年进一步提升至14万到15万片，是今年第一季度产能的14到15倍。

三星在今年3月底表示，今年HBM产能预计将增至去年的2.9倍。美光也在美国建设先进的HBM测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以应对AI热潮带来的更多需求。

在三巨头的竞争中，SK海力士凭借HBM3产品的领先性能，率先拿下英伟达的订单，成为其主要供应商。三星则主攻云端客户的订单，美光则直接跳过HBM3，集中精力在HBM3E产品上。

三巨头在扩大产能方面毫不懈怠。SK海力士计划在2028年投资高达748亿美元，其中80%将用于HBM的研发和生产，并将下一代HBM4芯片的量产时间提前到明年。

专业机构分析指出，今明两年HBM需求的动态缺口约为产能的5.5%和3.5%，但海豚投研数据显示，HBM有望从去年底的供不应求，转变为今年底的供大于求。