【深铭易购】资讯：据三星供应链厂商透露，已收到三星通知，其高频宽内存（HBM）产品HBM3e已通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货。为确保向英伟达等大厂供应，三星将转移高达30%的现有DRAM产能用于生产HBM3e。

此外，三星已通知供应链伙伴需提前备货标准DRAM产品，增强相关供应链的稳定性，进一步巩固了三星大量转移DRAM产能生产HBM的消息可信度。

在HBM市场上，SK海力士占据领导地位，而三星则在持续加大HBM的投入，力求追赶。这次成功通过英伟达认证意味着三星能够大量供应HBM产品，进一步提升市场份额，缩小与SK海力士的差距。

美光此前在财报中指出，生产同等技术节点下HBM3e所需晶圆比DDR5多出三倍。因此，三星转移30%的DRAM产能到HBM生产，增加的HBM产能可能仅相当于转移总产能的三分之一。

虽然三星此举有助于缓解HBM市场的供应压力，但也将导致标准DRAM产品供应大幅减少。作为全球DRAM市场的领导者，三星市场份额超过45%，其举措必将导致全球标准DRAM供应紧张，价格上涨。据估算，三星的行动将导致全球超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等产品，加剧市场供需失衡。

据报告称，DRAM市场正处于前所未有的供需失衡“超级周期”，标准DRAM的供应缺口高于HBM23%，预计价格将持续上涨。

市场研究机构TrendForce的调查显示，由于通用型服务器需求回升，以及HBM生产比重增加，供应商将继续推动DRAM价格上涨。第三季度，PC DRAM预计环比上涨3-8%，服务器DRAM预计环比上涨8-13%，移动设备DRAM预计环比上涨3-8%，图形DRAM预计环比上涨3-8%，消费者DDR3和DDR4预计环比增长3-8%。

此外，据报导，三星正计划采用4nm制程量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯片。这些逻辑芯片位于HBM堆叠的底层，是HBM技术的核心组成部分。目前，三星已经使用10nm制程生产HBM3E的逻辑芯片，计划升级至4nm，旨在确立HBM技术的领导地位。