【深铭易购】资讯：据报道称，三星电子计划在今年年底启动第六代高带宽存储器（HBM4）的流片工作，这是为明年年底12层HBM4产品量产所做的准备。流片是半导体设计的最后阶段，将设计图纸交付给半导体代工厂进行生产，也称为掩模流片（MTO）。

预计HBM4的测试产品将最早于明年初上市。流片后的最终测试产品通常需要3到4个月才能完成。三星电子表示，将在验证首次生产的HBM4产品运行情况后进行设计和工艺改进，随后会对主要客户进行产品抽检。三星电子的一位官员表示：“对于产品路线图和相关时间表，难以做出明确回答。”

SK海力士也计划在明年下半年实现12层HBM4产品的量产。两家公司都计划从HBM4开始，采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来生产逻辑芯片。据悉，三星电子计划使用其4nm代工工艺大规模生产逻辑芯片，而SK海力士则计划使用台积电的5nm和12nm工艺进行生产。

在内存核心芯片方面，三星电子确认将使用第六代10nm（1c）DRAM，而SK海力士的工艺介于第五代10nm（1b）DRAM和1c DRAM之间。SK海力士的一位主要员工解释道：“我们决定在HBM4中使用1b DRAM，但在得知三星电子将使用1c DRAM后，我们正在考虑是否也使用1c DRAM。”