【深铭易购】资讯：台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室研发出CFET（互补式场效应晶体管）。他指出，CFET预计将导入先进逻辑制程以及下一代先进逻辑制程，台积电研发部门仍在寻求导入新材料，以实现单一逻辑芯片容纳超2000亿颗晶体管，推动半导体技术的持续创新。

台积电指出，半导体的黄金时刻已到来，未来人工智能（AI）芯片的发展将有99%依赖于台积电的先进逻辑技术和先进封装支持。凭借技术创新，台积电将在未来发挥更高性能及更优异的能耗表现。

张晓强表示，2nm制程进展顺利，采用纳米片技术，目前纳米片转换表现已达到目标的90%，转换成良率超过80%，预计在2025年实现技术量产。他还提到，台积电在2nm基础上全球首创的A16制程技术，搭配独家开发的背面供电技术，使产出的芯片在相同速度下性能提高8%至10%；在相同面积下，能耗减少15%至20%。台积电计划在2026年将A16导入量产，首批芯片将用于数据中心高性能计算（HPC）芯片。

此外，台积电成功在实验室集成P-FET和N-FET两种不同类型的晶体管，研发出CFET架构的芯片。这是继2nm采用纳米片架构创新后的又一全新晶体管架构创新。张晓强表示，继CFET之后，台积电的研发人员将继续寻求更多新材料和创新架构的集成，比如无机纳米管或纳米碳管（如Ws2或WoS2），这意味着台积电未来将在CFET基础上导入更先进的埃米级制程，同时推动更先进的晶体管架构创新。

负责3nm量产的资深厂长黄远国指出，台积电今年将扩增3nm制程的产能三倍，但仍供不应求。此外，台积电今年将在海内外新建七座工厂，包含先进制程、先进封装及成熟制程，以全力应对客户需求。他表示，从2020到2024年，台积电在3nm、5nm、7nm制程的产能复合年均增长率达到25%；特殊制程的复合年均增长率为10%；车用芯片出货的复合年均增长率约为50%。

黄远国还指出，台积电特殊制程技术在成熟产品中的比重也在稳步增长，从2020年的61%预计到2024年将达到67%。在2022至2023年间，台积电平均每年建设五个工厂，而今年计划建设七个工厂，其中包括在中国台湾新竹的两座2nm厂、高雄的一座2nm厂、台中和嘉义的各一座先进封装厂，以及在海外的日本熊本和德国德勒斯顿的工厂。